| news.rice.edu

В університеті Райса розроблена пам’ять RRAM, здатна зберігати до дев’яти біт в одній комірці

Обсягу пам'яті, яким наділені сучасні смартфони, порівняно недавно позаздрив би не тільки настільний ПК, а й сервер або робоча станція. У свою чергу, гігабайт-другий пам'яті - дрібниця на тлі того, чим може обернутися розробка фахівців з університету Райса.

Вчені розробили резистивную пам'ять з довільним доступом (RRAM), яка по щільності істотно перевершує будь-яку продукцію, що зараз випускається. Важливо, що для виготовлення нової пам'яті годиться наявне обладнання.

Між металевими електродами нової пам'яті, що виготовляються із золота або платини, знаходиться діелектрик - пористий оксид кремнію, в якому сформовані осередки пам'яті. Під дією напруги, прикладеної до електродів, в комірці формується або руйнується провідний канал, змінюючи електричний стан комірки.

Використання оксиду кремнію дозволяє використовувати випробувані на практиці технології, знижує витрати енергії для перезапису, робить пам'ять стійкою до нагрівання. Що стосується витрат енергії, напругу живлення пам'яті вдалося знизити до 2 В - приблизно в 13 разів в порівнянні з колишніми зразками. Що стосується щільності, нова пам'ять багаторазово перевершує, наприклад, флеш-пам'ять. Як і у випадку флеш-пам'яті, ця  є багаторівневою. Але якщо в одній комірці пам'яті TLC NAND виходить зберігати до трьох біт, то в комірці RRAM - до дев'яти. За оцінкою учасників проекту, чіп розміром з поштову марку може мати терабайтний обсяг.

Вчені вже звернулися до виробників з пропозицією ліцензувати розробку.

 

Рекомендувати цей матеріал
X




забув пароль

реєстрація

X

X

надіслати мені новий пароль