| spectrum.ieee.org

Вчені Массачусетського технологічного інституту виготовили найменший транзистор з арсеніду галію

Дослідники з Массачусетського технологічного інституту повідомили про те, що їм вдалося виготовити найменший на сьогоднішній день MOSFET-транзистор, зроблений з арсеніду галію-індію, який має розмір всього в 22 нанометра. Дослідники сподіваються, що такі транзистори, якщо увійдуть в масове застосування, зможуть підтвердити закону Гордона Мура ще на досить тривалий час.



"Ми продемонстрували, що будь-який виробник напівпровідникових приладів може випускати чіпи на основі MOSFET-транзисторів з арсеніду галію-індію, які мають чудові швидкісні характеристики в цифрових логічних схемах. Це має забезпечити мініатюрізацію єлектронних приладів ще досить довгий час після того, як можливості кремнієвої електроніки в цьому напрямку будуть вичерпані " - розповів Jesus del Alamo, професор електротехніки та інформатики, який очолював групу, на Міжнародній конференції з електронних приладів (IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM), в Сан-Франциско.

Міжнародна організація International Technology Roadmap for Semiconductors вже досить давно визначила напрямок використання MOSFET-транзисторів з арсеніду галію-індію, як одне з найбільш перспективних напрямків розвитку електроніки. Але у деяких фахівців виникають сумніви в тому, що транзистори, розроблені в Массачусетському технологічному інституті будуть оптимальним рішенням з точки зору технологічності їх виробництва.

Дослідники з ЕмАйТі використовували процес електроннолоучевой літографії для точного виробництва усіх елементів крихітного транзистора, а відомо, що використання подібного підходу не прийнятно при промисловому виробництві. Всі чіпи, що виготовляються на сьогоднішній день, виробляються за допомогою технології ультрафіолетової літографії і на протязі наступного десятиліття можна очікувати тільки перемикання технологій літографії з на більш короткохвильові частини ультрафіолетового світла.

Крім цього новий транзистор був виготовлений на підкладці з фосфіду індію, який є більш крихким і менш міцним матеріалом, ніж кремній, використовуваний в даний час. Таким чином, поки вчені не придумають, як виготовляти MOSFET-транзистори на 300-міліметрових кремнієвих пластинах, не варто й думати про практичне застосування таких транзисторів, незважаючи на їх чудові якості і чудові характеристики.

Незважаючи на все це, нанотранзистор, розроблений дослідниками Массачусетського технологічного інституту, є великим кроком вперед. Але для того, що б зробити величезний якісний прорив у галузі електроніки потрібно зробити ще багато подібних кроків.
Рекомендувати цей матеріал
X




забув пароль

реєстрація

X

X

надіслати мені новий пароль