В IBM испытан скоростной графеновый транзистор

графеновый транзистор


Графен еще не готов прописаться в серийных микросхемах, но специалисты исследовательского подразделения IBM продолжают демонстрировать высокий потенциал этого материала, создавая все более быстродействующие графеновые транзисторы (иллюстрация с сайта physicsworld.com).

Немногим более года назад им удалось создать радиочастотный графеновый транзистор с частотой среза 100 ГГц, установив рекорд в этой области. Недавняя публикация в издании Nature свидетельствует о том, что исследователи из IBM не остановились на достигнутом. Новый созданный ими транзистор работает на частоте 155 ГГц.
Компания IBM создала прибор с рекордно высоким для транзисторов на базе графена быстродействием и расширенным диапазоном рабочих температур.

Благодаря хорошей подвижности зарядов графен заслужил репутацию перспективного материала для электроники. Однако, когда графеновый лист размещают на диэлектрической подложке (обычно — на диоксиде кремния), подложка влияет на поведение одноатомного листа углерода, создаёт эффект рассеивания носителей заряда.

Как сообщает PhysicsWorld, учёные из исследовательского центра Уатсона (IBM Thomas J. Watson Research Center) решили эту проблему. При помощи химического осаждения из пара они сначала создали на медной плёнке лист графена, а затем перенесли его на подложку из алмазоподобного углерода, в свою очередь, расположенную на традиционной для электроники кремниевой пластине.
Новый транзистор оказался еще и самым маленьким среди графеновых транзисторов, созданных к настоящему моменту в лабораториях IBM. Длина затвора равна 40 нм. Для сравнения: затвор графенового транзистора, работавшего на частоте 100 ГГц, был на 200 нм больше (детали изложены в статье в Nature).

Кроме того авторы прибора проверили его функционирование при криогенных температурах (они негативно влияют на движение зарядов в полупроводниковых приборах). Выяснилось, что новый графеновый транзистор хорошо себя чувствует вплоть до температуры в 4,3 кельвина.

При этом американцы отмечают, что качество использованного графена было не самым высоким, так что достигнутые показатели — не предел для новой технологии.

Разработка выполнена в рамках проекта по созданию высокопроизводительных радиочастотных транзисторов, финансируемого DARPA. Напомним, под этой аббревиатурой кроется организация, занимающаяся разработкой передовых технологий для американских вооруженных сил (Defense Advanced Research Projects Agency).
Рекомендувати цей матеріал
X




забув пароль

реєстрація

X

X

надіслати мені новий пароль